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多层陶瓷基板技术源于20世纪50年代末期美国无线电（RCA）公司开发，现行的基本工艺技术（用流延法的生片制造技术、过孔形成技术和多层叠层技术）在当时就已被应用。多层陶瓷基板技术分为高温共烧陶瓷技术（HTCC，HighTemperatureco-firedCeramic）和低温共烧陶瓷技术（LTCC，LowTemperatureco-firedCeramic）。本文将介绍HTCC技术及应用。一、什么
烧结是粉末冶金、陶瓷、耐火材料等的一种重要工艺过程。烧结一般来说是把粉末或粉末压坏借助于热的作用(一般加热到低于其中基体成分熔点的温度)发生分子或者原子在固体状态中的相互吸引，经过物质的迁移使粉体产生强度并导致致密化和再结晶的过程，其显微结构由晶体、玻璃体和气孔组成。烧结过程直接影响材料的显微结构，即晶粒尺寸和分布、气孔尺寸和分布以及晶界体积分数等参数。烧结机理的描述可以归纳为两个方面：塑性变形机
智能手机、液晶电视、电脑、汽车这些产品中都应用了众多尖端的先进技术，而陶瓷在其中同样不可或缺。例如，一部智能手机中使用的微型电子元器件——陶瓷电容器，就有数百上千个之多。但这类陶瓷并不是人们生活中常见的“瓷砖”“瓷碗”，它们是使用高精工艺生产出来的先进陶瓷。那么，先进陶瓷是什么？有哪些特点和应用？让我们一同来看。先进陶瓷与传统陶瓷的区别陶瓷制品分为普通陶瓷与先进陶瓷两大类，其中的先进陶瓷，又称新型
氧化铝陶瓷原料成本低、性能优良，是现代工程技术中应用最为广泛的陶瓷之一，从亲民的日常厨具到高端的航天科技都能看见它的身影。随着制作水平提高，近年来氧化铝陶瓷在光学领域也受到青睐，当氧化铝陶瓷完全致密化时，透光率大幅提升呈半透明状，可用来取代单晶蓝宝石，制作高压钠灯电弧管、红外光学元件、微波集成电路基片等器件。不仅如此，致密度的提高还能够提升氧化铝陶瓷的力学性能。陶瓷的致密化过程实际上也是气孔不断减
功率电子器件即功率半导体器件（powerelectronicdevice），通常是指用于控制大功率电路的电子器件（数十至数千安培的电流，数百伏以上的电压）以及转换电力设备间电能的器件。功率半导体器件的大规模集成化、大功率小型化、高效率低损耗、超高频的发展而引发的电路发热也迅速提高，电子封装对基板材料的要求有：热导率高、介电常数低、与芯片材料的热膨胀系数相匹配、力学强度优良、加工性能好、成本低、耐热
一、什么是第三代半导体所谓第三代半导体材料是以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)为代表(还包括ZnO氧化锌、GaO氧化镓、金刚石等)的化合物半导体。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。二、不同半导体材料的发展历程第一代半导体材料发明并使用于20世纪50年代
碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料，凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域，还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料。1、碳化硅在半导体领域的应用研磨盘、夹具均是半导体工业中硅晶片生产的重要工艺装备。研磨盘若使用铸铁或碳钢材料，其使用寿命短、热膨胀系数大
氮化铝陶瓷硬度高、难加工。在氮化铝陶瓷的各应用领域中，都对其表面加工质量和精度提出了较高要求，脆硬材料在加工过程中容易产生脆性断裂引起加工表面产生破碎层、脆性裂纹、残余应力、塑性变形区等一系列表面缺陷。陶瓷基板在LED器件中主要面对热力学环境的工作条件，因而上述缺陷会极大地影响基板的性能，降低器件的使用稳定性和寿命。因此，实现氮化铝陶瓷基板表面的近无损伤加工是十分必要的。目前，为了获得表面质量较高
摘要：针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度，分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势，重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。在过去的20年中，个人计算机及手机的发展驱动半导体技术不断进步，先后创造了互联网时代和移动互联网时代，当前，云计算、大数据、人工智能、5G、物联网等成为新的发展热点，正在掀起信息技术创新
如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻机是打草稿的画笔，刻蚀机则是雕刻刀，沉积的薄膜则是用来雕刻的材料。光刻的精度直接决定了元器件刻画的尺寸，刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工，而为了将芯片电路图从掩模转移到晶圆上，以实现预定的芯片功能，刻蚀工艺是其中重要的一环。在芯片制造中，光刻和刻蚀是两个精密相连的步骤，刻蚀的前道工序是光刻，通过光刻胶将电路图显影在晶圆上，之后再利用刻蚀的方
