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SiC因具有宽带隙、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度等优异特性，在半导体电子功率器件和陶瓷材料等方面具有重要的应用价值，是第三代半导体材料的主要代表。但值得注意的是，SiC材料还具有优异的导热性能，其理论导热率可以达到490W/(m•K)，在非导电材料中已属佼佼者。例如，在半导体器件的基底材料、高导热陶瓷材料、半导体加工的加热器和加热板、核燃料的胶囊材料以及压缩机泵的气密封环中，都可以看到SiC
氧化锆陶瓷环是一种新型高技术陶瓷，它除了具有精密陶瓷应有的高强度、硬度、耐高温、耐酸碱腐蚀及高化学稳定性等条件，还具备较一般陶瓷高的坚韧性。它可以运用在各个工业，像是轴封轴承、切削组件、模具、汽车零件等，甚至可用于人体。而消费电子领域，氧化锆陶瓷因其硬度接近蓝宝石，但总成本不到蓝宝石的1/4，其抗折率高于玻璃和蓝宝石，非导电，不会屏蔽信号，因此受到指纹识别模组贴片及手机背板的青睐。氧化锆陶瓷环的制
什么是石墨化？石墨化是工业过程，其中碳被转化为石墨。这是碳素或低合金钢发生的微观结构变化，这种变化会长时间暴露在425至550摄氏度的温度下，例如一千小时。这是一种脆化。例如，碳钼钢的微观结构通常包含珠光体（铁素体和渗碳体的混合物）。当这种材料进行石墨化处理时，会导致珠光体分解为铁素体和无规分散的石墨。这会导致钢的脆化，并且当这些石墨颗粒随机分布在整个基体中时，会导致强度的适度降低。但是，我们可以
半导体电路制作是一个非常复杂的过程，其中以光刻和刻蚀工序最为关键，它们是制约半导体集成电路制造工艺发展的主要工序，在一定程度上代表了整个半导体制造的先进程度。半导体制造简而言之：通过将掩膜母版图形转移至硅衬底上的过程。光刻机，就是将电路图印在晶圆上，刻蚀机就是把光刻机印好的图案刻在晶圆上。刻蚀是光刻之外最重要的集成电路制造步骤，存在多项关键工艺指标，对芯片良品率和产能影响很大。▼每个半导体产品的制
12月19日，京瓷kyocera宣布将在日本长崎建设新工厂，以推进业务扩张目标，并正式提出南谏早工业园区约建设用地（150000平方米）的收购邀约，预计将在2026年投入运营。京瓷预计在本财年的投资额将达到创纪录的2000亿日元，这主要是由于对先进半导体相关组件的强劲需求。半导体相关则包括功率半导体器件和半导体加工组件两大类。与2023财年的预测相比，京瓷计划在2024财年及以后的投资水平更高。而
近几年，光刻机的确是个热词，不论业内业外，都对其非常关注，“有井水处即有光刻机”说的毫不夸张。据说有位半导体领域的专家去理发时，理发小哥也会滔滔不绝的和他交流光刻机。而在材料领域，碳化硅的“火”有过之而无不及，其本身作为一种优良的陶瓷材料，性能与应用不断地被的开发，尤其是随着集成电路的快速发展，碳化硅作为第三代半导体材料更是一跃成为最受瞩目的材料之一。光刻机和碳化硅之间又有什么神秘关系呢？这还要从
精密陶瓷部件主要是指应用在半导体设备中的高精密复杂结构陶瓷部件。精密陶瓷部件是半导体设备的关键部件，其研发生产直接影响半导体产业发展。近几年，随着国家政策的调整，半导体行业迅速发展，产业规模急速增大，半导体制造设备持续向精密化、复杂化演变，高精密陶瓷关键部件的技术要求也越来越高。由于陶瓷具有高硬度、高弹性模量、高耐磨、高绝缘、耐腐蚀、低膨胀等优点，可用作硅片抛光机、外延/氧化/扩散等热处理设备、光
中国传感器领域，这几大技术急需攻破中美贸易摩擦以来，尤其是美国在半导体领域发起的制裁，中国电子信息产业被卡，进一步加强了我们进行国产替代的决心。在美国公布的影响国家安全与经济发展的技术中，传感器技术尤为突出，有6项与其直接相关。传感器作为典型的数据采集功能器件，无疑是电子信息领域的基础与核心。如果没有采集的这些底层数据，整个系统将没有任何活力。令人担心的是，对于传感器领域的本土化进程，我国还有很长
多应用内曲线径向柱塞马达的工作原理:1、壳体内环由X个导轨曲面组成，每个曲面分为a、b两个区段。2、缸体径向均布有两个柱塞孔。3、柱塞球面头部顶在滚轮组横梁上，使之在红体径向槽内滑动。4、柱塞、滚轮组成柱塞组件。5、a段导轨对柱塞组件法向反力的切向分力对缸体长生转矩。6、配流轴圆周均布2x个配流窗口，其中x个窗口对应于b段通回油。7、输出轴、缸体与输出轴连成一体。多应用内曲线径向柱塞马达的应用：转
1、精密陶瓷柱塞应用陶瓷柱塞主要适用于纺织、石油、化工、食品行业的柱塞类机械，用以替代金属柱塞，解决金属柱塞耐腐蚀性差、耐工作温度低导致设备寿命短的问题。陶瓷柱塞产品具有极高的耐磨损、耐腐蚀和抗规定热冲击性能，比金属柱塞使用寿命长5-10倍。即提高了生产又节约了成本。2、精密陶瓷柱塞在使用过程中的缺陷(1)陶瓷有开裂现象，这种开裂，在陶瓷制造过程中不易发现，但在柱塞工作中，由于压力作用，使裂缝越来
